[发明专利]一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910808634.2 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110590176B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张勇;冯涛;史英迪;汤凯;秦永强;舒霞;崔接武;王岩;吴玉程 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34;C09K9/00 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及应用、全固态锂金属电池及其制备方法，属于电池材料领域。本发明提供的缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的导锂通道从单一的LAGP陶瓷导锂转向聚合物与LAGP双向同时导锂，提升了锂离子扩散速率，减少了电解质与锂金属的副反应，稳定锂金属与电解质界面反应，防止枝晶生长连接正负极造成短路，防止锂枝晶刺穿隔膜引起短路，提升了电池的容量保持效率，延长了电池的循环寿命，且在不同使用温度下仍能保持稳定的性能，同时，缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的厚度可依照需求调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺氧 氧化钨 吡咯 纳米 阵列 变色 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜，其特征在于，所述电致变色材料具有核壳结构，以缺氧型氧化钨纳米线为核，以聚吡咯为壳，所述缺氧型氧化钨纳米线的直径在20～50nm，所述缺氧型氧化钨纳米线相互缠绕，所述聚吡咯均匀包覆在氧化钨纳米线上。/n
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