[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910813404.5 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110896099A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 秋山千帆子 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括衬底；有源区和围绕有源区的无源区；有源区上的栅电极、漏电极和源电极；包括漏极指和漏极条的漏极互连；以及包括源极指和源极条的源极互连。源极条在第一方向上隔着有源区位于漏极条的相反侧。源电极包括在第一方向上面向漏极条的第一侧和在第一侧的中间的第一凹部。第一方向上的第一凹部的第一深度等于或大于第一方向上的漏极条和第一侧之间的第一间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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