[发明专利]薄晶片分离方法及其装置有效
| 申请号： | 201910814597.6 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110660709B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 石敦智;黄良印 | 申请（专利权）人： | 苏州均华精密机械有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;陈昊宇 |
| 地址： | 215101 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄晶片分离装置，其具有：一座体单元；一负压单元，耦接座体单元；以及一刮刀单元，设于座体单元的顶端；其中，刮刀单元相对于座体单元升降，并且刮刀单元由座体单元的两侧端朝向座体单元的中央往复运动。薄晶片分离装置将贴附于膜体的薄晶片的两端予以撑高，再将位于薄晶片底端的膜体予以去除，以此使得薄晶片与膜体二者相互分离时，薄晶片能够保持其完整性，进而避免薄晶片产生毁损或断裂。一种薄晶片分离方法亦被同时揭露。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 分离 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄晶片分离方法，其特征在于：其步骤包括：/n一膜体，贴附有至少一薄晶片，该膜体相对于所述薄晶片的两端的位置被一上升的刮刀单元所撑高；以及/n所述刮刀单元由所述薄晶片的两端朝向薄晶片的中央移动，以将所述膜体由薄晶片的底端予以刮除，而使所述薄晶片与所述膜体相互分离。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
