[发明专利]导电特征形成有效
| 申请号： | 201910814776.X | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110970395B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L29/417;H01L27/11;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及导电特征形成。本公开提供了涉及导电特征和形成具有不同尺寸的导电特征的方法的示例实施例。在一个实施例中，一种结构包括：衬底、衬底上的电介质层、以及分别穿过电介质层到达衬底上的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的第一导电特征和第二导电特征。第一导电特征具有沿着第一导电特征的纵向轴线的第一长度和垂直于第一长度的第一宽度。第二导电特征具有沿着第二导电特征的纵向轴线的第二长度和垂直于第二长度的第二宽度。第一导电特征的纵向轴线与第二导电特征的纵向轴线对齐。第一宽度大于第二宽度，第一长度小于第二长度。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 特征 形成 | ||
【主权项】：
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