[发明专利]存储器的控制方法、装置、存储介质有效
| 申请号： | 201910815320.5 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110619910B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吴振勇;王瑜 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种存储器的控制方法、装置及存储介质。其中，所述方法包括：对所述存储器进行编程操作；其中，至少在编程操作的全导通阶段，在所述存储器的未选定的顶部选择栅(TSG)上施加第一电压，以使得所述未选定的TSG处于关闭状态；所述第一电压为负电压。本发明实施例通过在编程操作的特定时段对所述存储器的未选定的TSG上施加负电压，以保证未选定的TSG的电压在编程操作的沟道升压时段内低于TSG的阈值电压，从而使未选定的TSG处于完全关闭状态，避免了未选定的TSG因沟道升压的耦合作用而被误选定。如此，降低了存储器中的编程干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 控制 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的控制方法，其特征在于，所述方法包括：/n对所述存储器进行编程操作；其中，至少在所述编程操作的全导通阶段，在所述存储器的未选定的顶部选择栅TSG上施加第一电压，以使得所述未选定的TSG处于关闭状态；所述第一电压为负电压。/n
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