[发明专利]DRAM存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910816223.8 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112447605A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李宁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种DRAM存储器及其形成方法，所述形成方法，在刻蚀所述有源区和隔离层形成字线沟槽后，沿所述隔离层中字线沟槽的侧壁继续刻蚀所述隔离层，使所述隔离层中字线沟槽的宽度变宽，以使得位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于有源区中那一部分字线沟槽的宽度；在所述字线沟槽中形成字线结构，位于所述隔离层中的那一部分字线结构的宽度大于位于有源区中那一部分字线结构的宽度。本发明形成的字线结构呈波浪形，一方面降低字线结构的电阻；另一方面，使得在有源区边界处形成沟道，即增大了器件的导电沟道宽度，增加DRAM存储器的晶体管的导通电流，从而提高存储的读取速度，增加DRAM存储器的晶体管的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | dram 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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