[发明专利]集成电路封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910818863.2 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112447777A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 林继周;和正平 | 申请（专利权）人： | 旭景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G06K9/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 宋永慧 |
| 地址： | 中国台湾台北市大安*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路封装结构及其形成方法，其包含：第一基材层，具有第一顶面与第一底面，其中多个导线电路形成于所述第一顶面与所述第一底面上；集成电路，具有至少一镀金芯片焊垫于所述集成电路顶面，其中所述至少一镀金芯片通过表面贴装技术连接到所述第一基材层的所述第一底面对应的导线电路；第二基材层，具有第二顶面与第二底面，其中多个导线电路形成于所述第二底面上，且所述导线电路的部分被防焊油墨覆盖而其它部分露出于外部；以及填料层，形成于所述第一基材层与所述第二基材层之间并环绕所述集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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