[发明专利]一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法在审
| 申请号： | 201910819090.X | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110467184A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 麦毅;侯高蕾;吴复忠;李水娥;戴新义;谷肄静;陈敬波 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 11362 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 韩炜<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 550025 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法。按下述步骤进行：a）硅块的破碎：将硅块制成100～500目的硅粉；b）硅粉预处理：依次用盐酸、双氧水、氢氟酸、甲醇、纯水对硅粉清洗并放入鼓风干燥箱干燥；c）硅粉的腐蚀：将预处理的硅粉用腐蚀液进行水热腐蚀、保温，之后倒进放有中速滤纸的漏斗中，用去离子水进行清洗、过滤后放入鼓风干燥箱中干燥，即得去除杂质P的硅；所述的腐蚀液为氧化剂、辅助剂、氢氟酸、纯水组成的混合溶液。本发明制备工艺简单，易操作，成本较低，能够有效的降低冶金级硅中的P浓度，并能在工艺上使P的浓度很容易的控制。为冶金级硅中杂质P的去除提供了一种新的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硅粉 冶金级硅 去除 预处理 鼓风干燥箱 水热腐蚀 腐蚀液 氢氟酸 放入 硅块 清洗 双氧水 发明制备工艺 氧化剂 混合溶液 去离子水 辅助剂 按下 甲醇 滤纸 漏斗 盐酸 保温 过滤 破碎 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法，其特征在于，按下述步骤进行：/na）硅块的破碎：将硅块制成100～500目的硅粉；/nb）硅粉预处理：依次用盐酸、双氧水、氢氟酸、甲醇、纯水对硅粉清洗并放入鼓风干燥箱干燥；/nc）硅粉的腐蚀：将预处理的硅粉用腐蚀液进行水热腐蚀、保温，之后用去离子水进行清洗、过滤后放入鼓风干燥箱中干燥，即得去除杂质P的硅；所述的腐蚀液为氧化剂、辅助剂、氢氟酸、纯水组成的混合溶液。/n
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