[发明专利]光刻工艺方法有效
| 申请号： | 201910821876.5 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110634732B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘华明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻工艺方法，包括步骤：步骤一、对基片进行前处理来改变基片的表面态，包括分步骤：步骤11、进行第一步干法前处理，第一步干法前处理采用氧气等离子体灰化处理；步骤12、进行第二步湿法前处理，第二步湿法前处理采用热APM溶液清洗基片表面；步骤二、对所基片表面进行疏水处理；步骤三、涂布光刻胶。本发明能增加基片和光刻胶的黏附力，防止光刻胶在显影后产生移位或剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、提供需要进行光刻定义的基片，对所述基片进行前处理来改变所述基片的表面态，以增强所述基片的材料和光刻胶的黏附力；所述前处理包括如下分步骤：/n步骤11、对所述基片表面进行第一步干法前处理，所述第一步干法前处理采用氧气等离子体灰化处理；/n步骤12、对所述基片进行第二步湿法前处理，所述第二步湿法前处理采用热APM溶液清洗经过所述第一步干法前处理的所述基片表面；/n步骤二、对所基片表面进行疏水处理；/n步骤三、在所述基片表面涂布光刻胶。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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