[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910821879.9 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112435978A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 黄圣富;施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L25/07;H01L21/48;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含第一半导体晶圆、第二半导体晶圆以及第一导电通道。第一半导体晶圆包含第一基板以及设置在第一基板的顶面的至少一个第一导电层。第二半导体晶圆设置在第一半导体晶圆上。第二半导体晶圆包含第二基板以及设置在第二基板的顶面的第一导电垫。第一导电通道由第一导电垫延伸至第一导电层。如此一来，第一半导体晶圆的半导体元件可通过第一导电通道电性连接第二半导体晶圆的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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