[发明专利]一种介质波导滤波器在审
| 申请号： | 201910822860.6 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110518313A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 章博;段宗金 | 申请（专利权）人： | 深圳市国人射频通信有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;H01P7/10 |
| 代理公司： | 44303 深圳市盈方知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 周才淇;黄蕴丽<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种介质波导滤波器，包括两个相邻的介质谐振器，所述两个介质谐振器之间形成耦合窗口，所述耦合窗口的上表面设有第一下沉区域，所述第一下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器；所述第一下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第一下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第一耦合极性反转结构，所述第一耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。本发明可实现两个相邻的介质谐振器之间的容性耦合，并能减少对Q值的损耗，改变第一耦合极性反转结构的横向尺寸与耦合窗口的宽度的比值，还可实现两个介质谐振器之间的感性耦合或电磁混合耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 介质谐振器 下沉区域 反转结构 耦合窗口 耦合极性 导电屏蔽层 滤波器 感性耦合 混合耦合 介质波导 屏蔽区域 容性耦合 非导电 内表面 上表面 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种介质波导滤波器，包括两个相邻的介质谐振器，其特征在于：所述两个介质谐振器之间形成耦合窗口，所述耦合窗口的上表面设有第一下沉区域，所述第一下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器；所述第一下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第一下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第一耦合极性反转结构，所述第一耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。/n
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