[发明专利]命令生成方法及与命令生成方法有关的半导体器件有效
申请号: | 201910823365.7 | 申请日: | 2019-09-02 |
公开(公告)号: | CN111435601B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 崔谨镐;吴昇昱;郑镇一 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C11/4072 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;阮爱青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请公开了一种命令生成方法及与命令生成方法有关的半导体器件。半导体器件包括命令恢复电路,该命令恢复电路被配置为接收来自多个命令中的一个命令,根据所接收到的命令来储存通过对所接收到的来自多个命令中的命令进行编码而产生的代码信号,并且在根据移位控制信号而将所接收到的命令移位之后,通过对从代码信号产生的命令代码信号进行解码来产生多个内部命令;以及存储电路,其被配置为根据多个内部命令来执行内部操作。 | ||
搜索关键词: | 命令 生成 方法 有关 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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