[发明专利]提高系统DRAM可靠性的方法、装置和存储介质在审
| 申请号： | 201910826187.3 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112447225A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 刘凤鹏;刘冬梅 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074;G11C29/50 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 张婷 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高系统DRAM可靠性的方法。该方法包括：获得DRAM的表现电压，对所述表现电压的电压值进行可靠性校验；根据可靠性校验的验证结果计算DRAM理想模型下的供电电压的电压偏差值；根据所述电压偏差值对所述DRAM的供电电压进行调整。本发明还公开了一种提高系统DRAM可靠性的装置及计算机可读存储介质。本发明能够实现使系统DRAM具有更高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 系统 dram 可靠性 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司，未经中兴通讯股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910826187.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
