[发明专利]一种三维存储器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种三维存储器件及其制作方法，该器件包括第一、第二电压走线及多条虚设走线，其中，第一电压走线作为高压走线，第二电压走线作为低压走线，第一、第二电压走线位于同一直线上，多条虚设走线分布于第一、第二电压走线的两侧，且任意一条与第一、第二电压走线相邻的、虚设走线仅与第一、第二电压走线其中之一在第二方向上有相对部分，或与第一、第二电压走线在第二方向上均没有相对部分。本发明通过改进走线的布局，使得紧邻高压、低压走线的虚设走线不同时面对高压、低压走线，从而可以在不增加走线间距的情况下有效提高高压/低压走线与虚设走线之间的线对线击穿电压，不仅可以有效控制芯片面积，且不会影响原本的高压、低压走线。

主权项

1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：/n第一电压走线，所述第一电压走线沿第一方向延伸；/n第二电压走线，与所述第一电压走线位于同一直线上，且所述第二电压走线的电压低于所述第一电压走线的电压；/n多条虚设走线，分布于所述第一电压走线与所述第二电压走线的两侧，其中，任意一条与所述第一电压走线及所述第二电压走线相邻的所述虚设走线仅与所述第一电压走线及所述第二电压走线其中之一在第二方向上有相对部分，或与所述第一电压走线及所述第二电压走线在第二方向上均没有相对部分，所述第二方向与所述第一方向垂直。/n