[发明专利]存储器装置和读取数据的方法在审
| 申请号： | 201910827364.X | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110931069A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 全秀昶;金承范;李知英 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种非易失性存储器和一种竖直NAND闪存。所述非易失性存储器包括：存储器单元区域，包括靠近存储器单元区域的第一端的外部区域和通过外部区域与第一端分开的内部区域；第一位线和第二位线；外部存储器单元串，包括连接到延伸通过外部区域的外部柱的存储器单元；内部存储器单元串，包括连接到延伸通过内部区域的内部柱的存储器单元；以及数据输入/输出电路。数据输入/输出电路包括：页面缓冲器电路，在第一读取操作期间，页面缓冲器电路连接第一位线，并且在第二读取操作期间，页面缓冲器电路连接第二位线；以及读取电压确定单元，选择在第一读取操作期间使用的第一最佳读取电压和在第二读取操作期间使用的第二最佳读取电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 读取 数据 方法 | ||
【主权项】：
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