[发明专利]一种晶片翘曲度的测量方法

摘要

本发明公开了一种晶片翘曲度的测量方法，包括以下步骤：先获取参考点阵图像数据，再获取被测点阵图像数据，最后控制终端通过分析计算参考点阵图像数据以绘制出参考晶片边际线轮廓，控制终端通过分析计算被测点阵图像数据以绘制出被测晶片边际线轮廓，计算被测晶片边际线轮廓相对于参考晶片边际线轮廓的偏移量，就可得出晶片的翘曲度值，以来分析判断晶片边缘的整体形态。采用上述技术方案后，采用影像方式撷取晶片边际线的方式计算，可节省雷射光束的机构建置成本，同时CCD相机可与外观检验同时使用，可降低检验与量测机台的成本，更有利于业界所需；能够对成叠的晶片外观进行快速的检测，检验效率提高了30％以上。

主权项

1.一种晶片翘曲度的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：获取参考点阵图像数据：照射在参考晶片边缘的边际线的光线反射到图像采集元件上，并被图像采集元件采集得到参考点阵图像，并且通过控制终端将参考点阵图像中各关键点坐标数据存储为参考点阵图像数据；/n步骤二：获取被测点阵图像数据：照射在被测晶片边缘的边际线的光线反射到图像采集元件上，并被图像采集元件采集得到被测点阵图像，并且通过控制终端将被测点阵图像中各关键点坐标数据存储为被测点阵图像数据；/n步骤三：控制终端通过分析计算参考点阵图像数据以绘制出参考晶片边际线轮廓，控制终端通过分析计算被测点阵图像数据以绘制出被测晶片边际线轮廓，计算被测晶片边际线轮廓相对于参考晶片边际线轮廓的偏移量，就可得出晶片的翘曲度值(Warp值＝波峰a+波谷b)，以来分析判断晶片边缘的整体形态。/n