[发明专利]存储器、反熔丝存储单元及其制造方法

摘要

本发明公开一种存储器、反熔丝存储单元及其制造方法。该反熔丝存储单元包括反熔丝电容，包括两个电极；以及开关器件，包括源极、漏极和栅极；其中，所述源极与一个所述电极导通，所述漏极用于接入零电位，所述栅极用于接入控制电位，另一个所述电极用于接入烧写电位。采用这种结构的反熔丝存储单元所需的控制电压低，因此在烧写完成后该开关器件的可靠性相对较高。