[发明专利]一种基于中红外漫反射光谱技术的β-HMX晶型纯度检测方法在审

专利信息
申请号: 201910829216.1 申请日: 2019-09-03
公开(公告)号: CN110530817A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 潘清;王明;苏鹏飞;王民昌;陈智群 申请(专利权)人: 西安近代化学研究所
主分类号: G01N21/3563 分类号: G01N21/3563
代理公司: 11011 中国兵器工业集团公司专利中心 代理人: 祁恒<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明属于技术领域,具体涉及一种基于中红外漫反射光谱技术结合化学计量学偏最小二乘法的β‑HMX晶型纯度检测方法。该检测方法采用中红外漫反射光谱技术结合化学计量学偏最小二乘法建立β‑HMX晶型纯度定量校正模型及相应的晶型纯度测试方法。所建多变量校正模型可以分析重叠光谱和宽谱带,适用于含有α‑HMX杂质晶型的β‑HMX产品的晶型纯度分析。
搜索关键词: 晶型纯度 红外漫反射光谱 偏最小二乘法 化学计量学 技术结合 定量校正模型 校正模型 重叠光谱 多变量 宽谱带 检测 晶型 分析 测试
【主权项】:
1.一种基于中红外漫反射光谱技术结合化学计量学偏最小二乘法的β-HMX晶型纯度的检测方法,其特征在于,所述检测方法包括以下步骤:/nS1、校正集样品的配制:配制一系列不同组分含量的β-HMX、α-HMX混合晶型样品作为校正集样品,β-HMX晶型纯度按下式计算:/n /n式中:ωβ为样品中β-HMX晶型纯度,以百分数表示;mβ为样品中β-HMX晶型的称样质量;mα为样品中α-HMX晶型的称样质量;/nS2、校正集样品的中红外漫反射光谱采集:采用中红外光谱仪结合漫反射光谱附件对校正集样品进行光谱采集;/nS3、β-HMX晶型纯度定量校正模型的建立:对采集的中红外漫反射光谱进行光谱预处理,采用偏最小二乘法建立中红外漫反射光谱与β-HMX晶型纯度之间的相关性,获得β-HMX晶型纯度定量校正模型;/nS4、待测样品的晶型纯度检测:基于建立的β-HMX晶型纯度定量校正模型对待测样品进行检测,每个样品平行测定两次,取其平均值作为β-HMX晶型纯度检测结果。/n
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