[发明专利]半导体边缘光刻胶去除方法在审
| 申请号： | 201910829232.0 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110568730A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 薛广杰;胡华;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/42 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体边缘光刻胶去除方法，包括：提供一待曝光半导体，所述半导体包含有效区域以及包围所述有效区域的边缘区域，形成光刻胶层在所述半导体上，所述光刻胶层至少覆盖所述半导体的边缘区域，在所述半导体上方设置一光罩，对所述半导体的边缘区域进行曝光处理，从而提高了曝光的精度，同时提高了光刻胶层去除的精确性，避免了光刻胶残留造成的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 边缘区域 光刻胶层 有效区域 光刻胶残留 曝光处理 曝光 边缘光 胶去除 光罩 去除 包围 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体边缘光刻胶去除方法，其特征在于，包括：/n提供一待曝光半导体，所述半导体包含有效区域以及包围所述有效区域的边缘区域；/n形成光刻胶层在所述半导体上，所述光刻胶层至少覆盖所述半导体的边缘区域；/n在所述半导体上方设置一光罩，对所述半导体的边缘区域进行曝光处理。/n
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