[发明专利]像素电极结构及显示装置在审

专利信息
申请号: 201910830381.9 申请日: 2019-09-04
公开(公告)号: CN110673405A 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 曹武 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种像素电极结构及显示装置,像素电极结构包括边界主干区域以及分支区域;其中边界主干区域具有主干电极;分支区域中具有若干分支电极,分支电极相互平行排列且连接于主干电极;相邻两根分支电极之间具有一间隙;至少一分支电极具有第一电极部和第二电极部,第二电极部连接于所述第一电极部和主干电极之间;第一电极部的宽度小于第二电极部的宽度。本发明的像素电极结构及显示装置,可以达到改善倒伏效率的目的,从而有效地提升了液晶穿透率。
搜索关键词: 分支电极 像素电极结构 第二电极 第一电极 主干电极 分支区域 显示装置 主干区域 穿透率 有效地 倒伏 液晶
【主权项】:
1.一种像素电极结构,其特征在于,包括边界主干区域以及分支区域;其中/n所述边界主干区域具有主干电极;/n所述分支区域中具有若干分支电极,所述分支电极相互平行排列且连接于所述主干电极;相邻两根分支电极之间具有一间隙;/n至少一分支电极具有第一电极部和第二电极部,所述第二电极部连接于所述第一电极部和所述主干电极之间;所述第一电极部的宽度小于所述第二电极部的宽度。/n
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