[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910831000.9 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN111354711A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李东俊;申相澈;金奉秀;金志永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器装置可包括：衬底；位线结构，其在衬底上在一个方向上延伸，位线结构包括侧壁；存储节点接触件，其位于位线结构的侧壁上；第一间隔件和第二间隔件，它们位于位线结构的侧壁与存储节点接触件之间，第一间隔件与第二间隔件通过第一间隔件与第二间隔件之间的空间分离；位线结构上的层间电介质层，层间电介质层包括底表面；间隔件封盖图案，其从层间电介质层的底表面朝着第一间隔件与第二间隔件之间的空间向下延伸；以及着陆焊盘结构，其穿过层间电介质层，着陆焊盘结构耦接至存储节点接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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