[发明专利]晶体管元件在审
| 申请号： | 201910831252.1 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN111463258A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 席德·内亚兹·依曼;韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管元件包括一基底，该基底是第一导电型。第二导电型的埋入层形成在该基底中的表层区域。该第二导电型的该埋入层包含中心区域，多个分离区域由该中心区域向外分布，及外围区域在该多个分离区域的外围。外延层形成在该基底上。该第一导电型的高电压阱形成在该外延层中。该第一导电型的金属氧化物半导体晶体管形成在该高电压阱上。该第二导电型的该埋入层的该中心区域是在该金属氧化物半导体晶体管的漏极区域的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 元件 | ||
【主权项】：
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