[发明专利]一种穿刺高分子薄膜全方位导电胶带的制备方法有效
| 申请号： | 201910832009.1 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110628347B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 何志能;夏祥华 | 申请（专利权）人： | 湖南省凯纳方科技有限公司 |
| 主分类号： | C09J7/25 | 分类号： | C09J7/25;C09J7/24;C09J7/38;C09J7/35;C23C14/20;C23C14/35;C23C18/40;C23C18/34 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 李宝硕 |
| 地址： | 423000 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开一种穿刺高分子薄膜全方位导电胶带的制备方法。该制备方法包括如下步骤：在高分子薄膜表面进行针刺穿孔，再在穿孔膜表面进行化学镀金属膜或磁控溅射镀金属膜，以及任选地电镀加厚，使本材料形成通过孔洞导通且双面或单面带金属膜刺的基材，再在其表面涂布或贴敷压敏胶膜或热熔胶膜，经过辊压，使金属膜刺刺穿胶膜，从而形成全方位导电胶膜。本发明是通过结构设计，利用目前高分子薄膜的特性，制作最薄厚度可以达到2μm的全方位导电胶带，导电胶带的方阻5毫欧‑1000毫欧，垂直电阻2‑100毫欧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 穿刺 高分子 薄膜 全方位 导电 胶带 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种穿刺高分子薄膜全方位导电胶带的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：在高分子薄膜表面进行针刺穿孔，再在穿孔膜表面进行化学镀金属膜或磁控溅射镀金属膜，以及任选地电镀加厚，使本材料形成通过孔洞导通且双面或单面带金属膜刺的基材，再在其表面涂布或贴敷压敏胶膜或热熔胶膜，经过辊压，使金属膜刺刺穿胶膜，从而形成全方位导电胶膜。/n
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