[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910833072.7 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN111048411A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 石逸群;叶顺闵 | 申请（专利权）人： | 聚力成半导体（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126 | 代理人： | 陈思聪 |
| 地址： | 402360 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤。提供至少一个平台结构，且平台结构包括一III‑V族化合物半导体层。在平台结构上形成一钝化层。在钝化层上形成一栅极介电层。在栅极介电层上形成一栅极。在形成栅极之前，对栅极介电层进行一刻蚀工艺，用以薄化栅极介电层。利用刻蚀工艺调整栅极介电层的厚度，借此达到提高半导体装置的电性表现的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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