[发明专利]半导体结构及其形成方法和芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 201910837856.7 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN112542445A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 余兴 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L21/18;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法和芯片及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底，所述第一基底包括存储区，所述存储区包括沿所述第一基底表面方向排布的若干存储单元；与所述第一基底键合的第二基底，所述第二基底包括逻辑区，所述逻辑区与所述存储区在垂直于所述第二基底表面的方向上重叠，所述逻辑区包括沿所述第二基底表面方向排布的若干逻辑单元，每个所述逻辑单元的电路与2个以上所述存储单元的电路电互连，或每个所述存储单元的电路与2个以上所述逻辑单元的电路电互连。所述半导体结构能够提高芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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