[发明专利]一种新型结构的F23类压控振荡器有效
| 申请号： | 201910840839.9 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110661489B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 康凯;周龙龙;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华;余益明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03B1/04 | 分类号： | H03B1/04;H03B5/32 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于无线通信技术领域，涉及压控振荡器，具体为一种新型结构的F23类压控振荡器；用以克服传统的F23类压控振荡器调谐过于复杂、有待进一步优化的问题。本发明F23类压控振荡器包括：第一谐振腔，交叉耦合管对及第二谐振腔；本发明相对于传统结构的F23类压控振荡器结构简单；将原有的变压器替换为电感，简化了电路的复杂度，在实际使用中降低了调谐的难度，使得压控振荡器更容易处于理想工作状态；同时，采用了一种新型电感结构，可以配合电容在奇次和偶次谐波输入时呈现不同的谐振峰，且随电容变化谐振峰比例不变；另外，本发明在mos管的漏极和源极分别形成基波、二三次谐波的方法，符合F23类压控振荡器的理论基础，有效分离了基波和谐波成分。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 f23 压控振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种新型结构的F23类压控振荡器，包括：第一谐振腔，交叉耦合管对及第二谐振腔，其特征在于：/n所述交叉耦合管对由MOS管M1、MOS管M2构成，所述MOS管M1的栅极连接MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接MOS管M2的栅极；/n所述第一谐振腔由电感L1、变容管构成；所述变容管与电感L1并联后两端分别与MOS管M1、MOS管M2的漏极相连，且两个连接端分别作为压控振荡器的输出端OUT+、输出端OUT-；所述电感L1的中心抽头接电源VDD，所述变容管由两个变容管C
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