[发明专利]薄膜在审
| 申请号： | 201910841379.1 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN110641108A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 藤野望;梨木智刚 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/08 | 分类号： | B32B27/08;B32B27/20;B32B27/30;B32B27/32;B32B27/36;B32B33/00;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/20;C23C14/34;C23C14/54;C08J7/04;C08L67/02 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 薄膜依次具备基材和无机层。基材由厚度为2μm以上300μm以下的高分子薄膜形成。无机层依次具备第1无机氧化物层、金属层和第2无机氧化物层。第1无机氧化物层及第2无机氧化物层含有氢原子。第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2与第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1之比(H2/H1)为0.10以上且10.00以下。 | ||
| 搜索关键词： | 无机氧化物层 氢原子 无机层 基材 高分子薄膜 金属层 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜，其特征在于，其依次具备基材和无机层，/n所述基材由厚度为2μm以上300μm以下的高分子薄膜形成，/n所述无机层依次具备第1无机氧化物层、金属层和第2无机氧化物层，/n所述第1无机氧化物层及第2无机氧化物层含有氢原子，/n所述第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2与所述第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1之比即H2/H1为0.10以上且10.00以下。/n
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