[发明专利]一种空气桥监控结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910847940.7 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110752166A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 林易展;陈建星;王淋雨;郑伯涛;林伟;章剑清;郭一帆;邱文宗;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种空气桥监控结构及其制作方法，其中方法包括如下步骤：在待做空气桥结构的桥面金属下方的半导体衬底上制作监控金属，监控金属包含有处在桥面金属正下方的金属段、第一焊盘以及连接金属段和第一焊盘的金属线。空气桥结构横跨金属段上，在检测空气桥的完好程度的时候，只需检测第一焊盘与空气桥之间的参数以及同一个空气桥两端的参数数据，就可高效的检测出空气桥的完好程度，同时也极大程度的节约的检测的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 空气桥 金属 焊盘 检测 空气桥结构 桥面 参数数据 监控结构 连接金属 金属线 监控 衬底 制作 半导体 横跨 节约 | ||
【主权项】：
1.一种空气桥监控结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在待做空气桥的桥面金属下方的半导体衬底上制作监控金属，所述监控金属包含有第一焊盘、处在桥面金属正下方的金属段以及连接金属段和第一焊盘的金属线；/n覆盖桥墩光阻，并在金属段的两侧桥墩处显影，桥墩之间的距离大于金属段两侧宽度；/n溅镀种金，形成金属种层，覆盖桥面光阻，并在金属段正上方桥面处显影；/n沉积金属到桥墩和桥面处，并去除光阻，得到空气桥结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
