[发明专利]一种水平结构沟槽肖特基半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201910852593.7 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110660842A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 郭志宏 | 申请（专利权）人： | 大同新成新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 申绍中 |
| 地址： | 037002 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种水平结构沟槽肖特基半导体装置及其制备方法，包括衬底层和电荷补偿结构，所述衬底层下侧为下表面金属层，下表面金属层位于底层，衬底层位于下表面金属层上方，所述衬底层为半导体材料构成，所述衬底层相邻的位置设置有电荷补偿结构，所述电荷补偿结构设置在衬底层上方的位置，所述电荷补偿结构包括第一导电半导体材料和第二导电半导体材料，所述电荷补偿结构为若干组第一导电半导体材料和第二导电半导体材料间隔依次排列的结构，二氧化硅位于第二导电半导体材料的上表面。该水平结构沟槽肖特基半导体装置及其制备方法，提高了器件的正向导通或反向阻断特性，适合普遍推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底层 导电半导体材料 电荷补偿 下表面金属层 半导体装置 水平结构 肖特基 制备 半导体材料 二氧化硅 反向阻断 结构设置 依次排列 正向导通 上表面 | ||
【主权项】：
1.一种水平结构沟槽肖特基半导体装置，包括衬底层（1）和电荷补偿结构（6），其特征在于：所述衬底层（1）下侧为下表面金属层（8），下表面金属层（8）位于底层，衬底层（1）位于下表面金属层（8）上方，所述衬底层（1）为半导体材料构成，所述衬底层（1）相邻的位置设置有电荷补偿结构（6），所述电荷补偿结构（6）设置在衬底层（1）上方的位置，所述电荷补偿结构（6）包括第一导电半导体材料（3）和第二导电半导体材料（4），所述电荷补偿结构（6）为若干组第一导电半导体材料（3）和第二导电半导体材料（4）间隔依次排列的结构，二氧化硅（2）位于第二导电半导体材料（4）的上表面，二氧化硅（2）位于衬底层（1）上侧的两组第三导电半导体（9）之间。/n
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