[发明专利]一种双电流偏置的CMOS伪电阻在审
| 申请号： | 201910854145.0 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110752834A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 刘帘曦;陈明仑;华天源;张怡;朱樟明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H11/46 | 分类号： | H03H11/46 |
| 代理公司： | 61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双电流偏置的CMOS伪电阻，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和缓冲器，其中，第一PMOS管的漏极连接其栅极，衬底连接其源极，栅极连接第二PMOS管的栅极，源极连接第一NMOS管的源极；第二PMOS管的衬底连接其源极，漏极连接第二NMOS管的源极，源极作为CMOS伪电阻的第一端；第一NMOS管的漏极连接其栅极，衬底连接其源极，栅极连接第二NMOS管的栅极；第二NMOS管的衬底连接其源极，漏极作为CMOS伪电阻的第二端；缓冲器的同相输入端连接第二PMOS管的源极，反相输入端连接第一PMOS管的源极，输出端连接第一NMOS管的源极。本发明的双电流偏置的CMOS伪电阻的阻值基本不受工艺、温度变化、亚阈值泄露电流的影响，鲁棒性较好。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 伪电阻 衬底 漏极 缓冲器 电流偏置 栅极连接 反相输入端 输出端连接 同相输入端 泄露电流 源极连接 第一端 鲁棒性 | ||
【主权项】：
1.一种双电流偏置的CMOS伪电阻，其特征在于，包括第一PMOS管(M
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