[发明专利]一种三乙基铟的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910856902.8 申请日: 2019-09-11
公开(公告)号: CN110452257A 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 顾宏伟;严金林;茅嘉原;邓辉 申请(专利权)人: 苏州普耀光电材料有限公司
主分类号: C07F5/00 分类号: C07F5/00
代理公司: 32293 苏州国诚专利代理有限公司 代理人: 李凤娇<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 215124江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种三乙基铟的制备方法,包括以下步骤:(1)在惰性气体保护下,在反应装置内加入乙基卤化镁格氏试剂,缓慢搅拌,形成基础反应体系;(2)向步骤(1)得到的基础反应体系中加入三卤化铟的烃类或醚类混合溶液,进行反应;(3)反应结束后,对反应后得到的混合物先在常压条件下进行蒸馏,以蒸出溶剂,然后再进行减压蒸馏,收集蒸出的馏分,得到三乙基铟。本发明制备方法所采用的原料格氏试剂为化学合成常规原料,易于制取;三卤化铟采用常见的氧化铟和酸反应即可制得。本发明的制备方法可以制得液态铟源三乙基铟,制备成本远低于行业通用的铟镁合金制备法,而且产率较高,有助于规模化的生产。
搜索关键词: 制备 乙基 格氏试剂 卤化铟 惰性气体保护 乙基卤化镁 常规原料 常压条件 反应装置 化学合成 缓慢搅拌 混合溶液 减压蒸馏 蒸出溶剂 铟镁合金 蒸馏 混合物 规模化 酸反应 通用的 氧化铟 产率 醚类 烃类 制取 铟源 生产
【主权项】:
1.一种三乙基铟的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/n(1)在惰性气体保护下,在反应装置内加入乙基卤化镁格氏试剂,缓慢搅拌,形成基础反应体系;/n(2)向步骤(1)得到的基础反应体系中加入三卤化铟的烃类或醚类混合溶液,进行反应;/n(3)反应结束后,对反应后得到的混合物先在常压条件下进行蒸馏,以蒸出溶剂,然后再进行减压蒸馏,收集蒸出的馏分,得到三乙基铟。/n
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