[发明专利]薄膜沉积方法有效
| 申请号： | 201910857144.1 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110885971B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 严基喆;韩政勋;金头汉;韩镕圭;柳太熙;林完奎;高东铉 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/505 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种相对于包含图案结构的基板的薄膜沉积方法包括：通过经设置在基板下方的组件供应RF功率；在基板的暴露于反应空间的暴露表面上形成电位；使用所述电位，在反应空间中将活性物质移动到暴露表面；以及在基板的暴露表面上形成包含活性物质成分的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
