[发明专利]一种扩散电阻的版图结构有效
| 申请号： | 201910858061.4 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110739301B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 熊俊;朱敏 | 申请（专利权）人： | 芯创智（北京）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;杨方 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种扩散电阻的版图结构，版图结构包括：阱、位于阱内的扩散区和多叉指MOS晶体管，多叉指MOS晶体管包括：多个平行分布的条状栅极、多个源极和多个漏极，多个条状栅极将扩散区隔成多个扩散区域，多个源极和多个漏极交替分布于多个扩散区域内；多叉指MOS晶体管的相邻两个栅极中间的扩散区域构成一个电阻单元，所有电阻单元通过金属导线连接构成扩散电阻；多叉指MOS晶体管的栅极连接高/低电位，用以使多叉指MOS晶体管工作在截止区。本发明的扩散电阻的版图结构，可以减小扩散电阻的版图面积，进而减小芯片面积降低芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 电阻 版图 结构 | ||
【主权项】：
1.一种扩散电阻的版图结构，其特征在于，所述版图结构包括：阱、位于所述阱内的扩散区和多叉指MOS晶体管，所述多叉指MOS晶体管包括：多个平行分布的条状栅极、多个源极和多个漏极，所述多个条状栅极将所述扩散区隔成多个扩散区域，所述多个源极和所述多个漏极交替分布于所述多个扩散区域内；/n所述多叉指MOS晶体管的相邻两个栅极中间的扩散区域构成一个电阻单元，所有电阻单元通过金属导线连接构成扩散电阻；/n所述多叉指MOS晶体管的栅极连接高/低电位，用以使所述多叉指MOS晶体管工作在截止区，所述多叉指MOS晶体管的源极和漏极两端均设置有接触孔；/n所述多叉指MOS晶体管两端的接触孔通过金属导线连接出来作为所述扩散电阻的两端，所述阱为所述扩散电阻的第三端且连接高/低电位。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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