[发明专利]用于SRAM单元的晶体管基体偏置控制电路在审
| 申请号： | 201910861655.0 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110895955A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 贾殷恩卓·辛格;苏希可哈·贾殷;迪普提·萨伊尼;杰瓦兰特·库马尔·米什拉;帕特里克·范德施蒂格 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器电路包括SRAM单元和用于偏置所述SRAM单元的偏置控制电路。所述SRAM单元包括上拉晶体管、下拉晶体管以及传输门晶体管。所述偏置控制电路连接到所述下拉晶体管和所述传输门晶体管的基体端以便提供偏置电压。所述偏置控制电路通过所述偏置电压控制所述下拉晶体管和所述传输门晶体管的阈值电压。所述偏置电压与温度相关，基于所述下拉晶体管和所述传输门晶体管的所述基体端处的结漏电而产生。使用温度相关的偏置电压来偏置所述下拉晶体管和所述传输门晶体管的所述基体端确保所述SRAM单元的写入裕量和静态噪声容限(SNM)在限定的温度范围内相对恒定并且高于可接受水平。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sram 单元 晶体管 基体 偏置 控制电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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