[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910867623.1 | 申请日： | 2019-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN112509982A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王昊;陈洪雷;夏志平;姚国亮;陈伟 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。制造方法包括在衬底第一至第二阱区上分别形成第一、第二栅叠层，在衬底第三阱区、第四阱区上形成第三栅叠层；采用光刻胶掩膜、采用第一栅叠层、第三栅叠层为硬掩膜，在第一阱区形成第二掺杂类型第一源区和第一漏区，在第三阱区、第四阱区形成第二掺杂类型第三源区和第三漏区；采用第一至第三栅叠层作为硬掩膜，进行普注以在第二阱区中形成第一掺杂类型第二源区和第二漏区，形成第二源区和第二漏区时，第一源区和第一漏区、第三源区和第三漏区第二掺杂类型的掺杂剂复合第一掺杂类型掺杂剂。该方法在形成第二源区和第二漏区时省去附加的掩膜和光刻步骤，不影响半导体器件的性能并且可以降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
