[发明专利]一种多腔包覆结构硫化铋/硫化钴复合电极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910868137.1 申请日: 2019-09-16
公开(公告)号: CN110534722B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 蔡道平;黄友章;陈奇俤;詹红兵 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525;H01M10/054
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 林文弘;蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种新型多腔包覆结构硫化铋/硫化钴复合电极材料及其制备方法,首先在一定温度下选用一定比例的硝酸铋和溴化钾合成铋氧溴球,然后在铋氧溴球的表面均匀包覆金属有机框架多面体ZIF‑67,再经过硫代乙酰胺的硫化得到多腔中空包覆结构,最后经过煅烧得到多腔中空包覆的硫化铋/硫化钴电极材料。本发明的方法简单易行,具有广泛的应用性,可在锂离子电池,钠离子电池,钾离子电池等领域有较大的应用前景。
搜索关键词: 一种 多腔包覆 结构 硫化 复合 电极 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种新型多腔包覆结构硫化铋/硫化钴复合电极材料的制备方法,其特征在于:首先将定量的硝酸铋和溴化钾以及聚乙烯吡咯烷酮通过反应釜在一定温度下合成铋氧溴球,然后在铋氧溴球的表面均匀包覆金属有机框架ZIF-67多面体,紧接着以硫代乙酰胺为硫源,乙醇为溶剂,进行硫化,最后经过煅烧得到硫化铋/硫化钴复合电极材料。/n
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