[发明专利]发光元件的制作方法有效
| 申请号： | 201910870352.5 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110676355B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 何金原;吴宗典;刘竹育 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;郭海彬 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光元件的制作方法，包括以下步骤。于生长基板上依序形成第一半导体层、发光层及第二半导体层。形成牺牲层于第二半导体层上。于牺牲层形成开口以暴露出第二半导体层的一部分，其中开口的侧壁与第二半导体层构成倾斜角，且倾斜角的角度范围位于45°至90°之间。形成第一键结层且其凸部重叠开口。提供承载基板。形成第二键结层并接合第二键结层及第一键结层。形成第一图案化半导体层以及第二图案化半导体层。移除牺牲层以露出凸部及接触凸部的第一绝缘层的部分形成的接合部。接合部接触第二图案化半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件的制作方法，其特征在于，包括：/n于一生长基板上依序形成一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层；/n形成一牺牲层于该第二半导体层上；/n于该牺牲层形成一开口以暴露出该第二半导体层的一部分，其中该开口的侧壁与该第二半导体层构成一倾斜角，该倾斜角的角度范围位于45°至90°之间；/n形成一第一绝缘层于该牺牲层上且藉由该开口接触该第二半导体层；/n形成一第一键结层于该第一绝缘层上，该第一键结层具有一平坦部以及一凸部，其中该平坦部覆盖该第一绝缘层，且该凸部重叠该开口；/n提供一承载基板；/n形成一第二键结层于该承载基板上；/n接合该第二键结层及该第一键结层；/n去除部分该第一半导体层以及部份该第二半导体层以分别形成一第一图案化半导体层以及一第二图案化半导体层；/n形成一第二绝缘层覆盖该第一图案化半导体层及该第二图案化半导体层，该第二绝缘层具有一第一接触孔及一第二接触孔；/n形成一第一电极并通过该第一接触孔电性连接该第一图案化半导体层；/n形成一第二电极并通过该第二接触孔电性连接该第二图案化半导体层；以及/n移除该牺牲层，以使该凸部及接触该凸部的该第一绝缘层的部分形成一接合部，该接合部接触该第二图案化半导体层。/n
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