[发明专利]基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法和装置在审
申请号: | 201910871844.6 | 申请日: | 2019-09-16 |
公开(公告)号: | CN110781107A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 魏海霞;邝雨璇;陈朗;林莉 | 申请(专利权)人: | 北京领芯迅飞科技有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F13/32;G06F13/42 |
代理公司: | 11577 北京知呱呱知识产权代理有限公司 | 代理人: | 管士涛 |
地址: | 100000 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法和装置,其方法包括:基于固态硬盘的物理容量构建中央处理器访问的融合地址空间;所述融合地址空间划分为DRAM物理空间和扩展地址空间,并将常用的系统数据存储至所述DRAM物理空间;当所述中央处理器通过预设的融合I/O控制器的DRAM接口访问融合地址空间时,获得待访问数据所对应的目标地址空间标识;根据预设的地址空间标识和地址空间的映射表,以及所述目标地址空间标识,查找所述中央处理器访问的目标地址空间。采用本发明所述的基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法,能够采用双地址空间的方式,提高了数据传输的效率,有效降低服务器中数据访问的延时。 | ||
搜索关键词: | 地址空间 融合 中央处理器 目标地址 空间标识 物理空间 低延迟 预设 地址空间标识 扩展地址空间 系统数据存储 方法和装置 访问数据 固态硬盘 接口访问 数据传输 数据访问 物理容量 映射表 构建 延时 服务器 访问 查找 | ||
【主权项】:
1.一种基于DRAM接口的低延迟融合IO控制方法,其特征在于,包括:/n基于固态硬盘的物理容量构建中央处理器访问的融合地址空间;/n所述融合地址空间划分为DRAM物理空间和扩展地址空间,并将常用的系统数据存储至所述DRAM物理空间;其中,所述DRAM物理空间是所述固态硬盘的部分物理容量的直接映射;/n当所述中央处理器通过预设的融合I/O控制器的DRAM接口访问融合地址空间时,获得待访问数据所对应的目标地址空间标识;根据预设的地址空间标识和地址空间的映射表,以及所述目标地址空间标识,查找所述中央处理器访问的目标地址空间;其中,所述目标地址空间包括DRAM物理空间或者扩展地址空间中的至少一个。/n
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