[发明专利]一种接地结构及具有该接地结构的化学气相沉积设备有效
申请号: | 201910872497.9 | 申请日: | 2019-09-16 |
公开(公告)号: | CN110656321B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 高德龙 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;H01R4/66 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 彭绪坤 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请公开了一种接地结构及具有该接地结构的化学气相沉积设备,所述接地结构包括沿垂直于所述基座方向设置的接地导杆、及固定于所述基座上且与所述基座电性连接的中间连接件;所述中间连接件远离所述基座一端与所述接地导杆滑动电性连接,本申请接地结构通过采用接地导杆与中间连接件相对滑动电性连接的方式实现基座的接地连接,相比于现有采用接地金属薄片反复弯折的方式,在整个成膜过程中,基座上下运动时的接地连接更加平稳,同时,采用该接地结构的化学气相沉积设备,提高了在连续成膜时的接地稳定性,避免了因接地结构接地不稳定或断裂造成膜质异常的现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 接地 结构 具有 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
1.一种接地结构,用于化学气相沉积反应室中基座的接地连接,其特征在于,所述接地结构包括沿垂直于所述基座方向设置的接地导杆、及固定于所述基座上且与所述基座电性连接的中间连接件;所述中间连接件远离所述基座一端与所述接地导杆滑动电性连接。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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