[发明专利]具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构及单元在审
| 申请号： | 201910875550.0 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112397475A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡佩君;徐宏欣;张简上煜;林南君 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;周永君 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构及单元。该具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构将硅工艺的硅中介层设置于下层的封装单元内，作为上层的封装单元与底层的基板之间的电连接。依据上层封装单元的扇出接点的设计分布，以一个或多个局部配置硅中介层于下层封装单元的半导体晶粒侧边，可满足对于高阶晶片更不受限制的设计需求。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 微细 间距 穿孔 封装 扇出型 晶片 结构 单元 | ||
【主权项】：
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