[发明专利]晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法在审
| 申请号： | 201910876428.5 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN111378953A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 朴相浃 | 申请（专利权）人： | PT株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;宋东颖 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，更详细地说提供一种晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，在构成半导体沉积装置的一结构的管系统中使氮气体流动于碳化硅管和石英管之间，以防止向碳化硅管内供应的硅烷气体与石英管接触，从而能够抑制因为石英管与硅烷气体接触导致石英管相变出现降低耐久性的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 沉积 石英管 防止 接触 硅烷 气体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于PT株式会社，未经PT株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910876428.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：真空泵
- 下一篇：电镀设备和使用该电镀设备的电镀方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
