[发明专利]多集成电路缓存的图像传感器、成像方法以及多集成电路成像设备有效
| 申请号： | 201910877287.9 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110913155B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 丁台衡;柳勋;杨征;尹贤洙;陈家明 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/378 | 分类号： | H04N5/378;H04N9/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种多IC缓存的图像传感器具有第一IC，该第一IC具有像素、选择晶体管和将选择的像素与第一裸片间接合焊盘相耦接的互连，该第一裸片间接合焊盘将图像数据传送到具有逻辑和ADC的第二IC。ADC具有耦接到所选择的像素的输入，以及将硅通孔和裸片间接合焊盘输出到第三IC，第三IC被耦接以缓存DRAM中的原始图像数据。一种方法包括：使用被划分为子阵列的阵列像素IC来捕获图像，每个所述子阵列经由裸片间接合耦接到分离的、相关联的ADC；扫描子阵列并将图像数据转换为数字图像数据；以及经由裸片间接合将数字图像数据传送到DRAM中的缓存器中。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 缓存 图像传感器 成像 方法 以及 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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