[发明专利]半导体装置

摘要

形成半导体装置（1），所述半导体装置包含：SiC外延层（28）；多个晶体管单元（18），形成于SiC外延层（28），通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极（19），与在接通时形成沟道的晶体管单元（18）的沟道区域（32）相对；栅极金属（44），为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极（19）在物理上分离，但是，电连接于栅极电极（19）；以及内置电阻（21），被配置在栅极金属（44）的下方，由将栅极金属（44）和栅极电极（19）电连接的多晶硅构成。

主权项

1.一种半导体装置，其中，包含：/n平面视大致四边形的半导体层；/n控制焊盘，为了与外部的电连接而形成在所述半导体层的表面上；/n指状物，与所述控制焊盘电连接并且划分规定的区域；/n多个晶体管单元，在所述半导体层中在由所述指状物划分的区域中排列，由来自所述控制焊盘的控制电压进行接通/关断控制；/n控制电极，与在接通时形成沟道的所述晶体管单元的沟道区域相对；以及/n内置电阻，与所述控制焊盘以及所述指状物相比被配置在所述半导体层侧，将所述控制焊盘和所述指状物电连接，由具有与所述指状物相同或比其大的电阻值的材料构成，/n所述控制焊盘以在平面视中周围被空间所包围的方式独立地形成，/n所述指状物包含空开间隔地包围所述控制焊盘的周围的焊盘周边部，/n所述内置电阻经由层间膜被配置于所述控制焊盘以及所述焊盘周边部的所述半导体层侧区域，/n所述内置电阻以跨越所述控制焊盘和所述焊盘周边部的方式被配置。/n