[发明专利]一种晶圆蚀刻槽在审

申请号：	201910884889.7	申请日：	2019-09-19
公开（公告）号：	CN110739247A	公开（公告）日：	2020-01-31
发明（设计）人：	李杰;葛林海;赵建龙;王利强;丁高生	申请（专利权）人：	上海提牛机电设备有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	31105 上海智力专利商标事务所(普通合伙)	代理人：	周涛
地址：	201405 上***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种晶圆蚀刻槽，所述蚀刻槽包括：基座；基板，所述基板固定连接在所述基座上，所述基板形成水平的支撑面；外槽，所述外槽为上部开口的长方壳体，所述外槽的底部安置在所述支撑面上，所述外槽侧壁的下方开孔且与第一管路的一端连通；内槽，所述内槽为上部开口的长方壳体，所述内槽设置在所述外槽内，所述第一管路的另一端设置在所述内槽上方，所述内槽的底部开孔并与第二管路的一端连通，所述第二管路的另一端与外部连通；以及晶舟，所述晶舟内承载有多个晶圆，所述晶舟设置在所述内槽内；其中，含有氢氟酸的药液自所述内槽开口加入，将所述晶舟上的晶圆全部浸没。本发明设备能够耐受高温下晶圆蚀刻中氢氟酸的强腐蚀性。
搜索关键词：	内槽晶舟外槽晶圆长方壳体上部开口氢氟酸蚀刻槽基板连通蚀刻底部开孔基板固定强腐蚀性外部连通外槽侧壁一端设置支撑面浸没开孔耐受种晶开口承载安置支撑
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【主权项】：

1.一种晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述蚀刻槽包括：/n基座（1）；/n基板（2），所述基板（2）固定连接在所述基座（1）上，所述基板（2）形成水平的支撑面；/n外槽（3），所述外槽（3）为上部开口的长方壳体，所述外槽（3）的底部安置在所述支撑面上，所述外槽（3）侧壁的下方开孔且与第一管路的一端连通；/n内槽（4），所述内槽（4）为上部开口的长方壳体，所述内槽（4）设置在所述外槽（3）内，所述第一管路的另一端设置在所述内槽（4）上方，所述内槽（4）的底部开孔并与第二管路的一端连通，所述第二管路的另一端与外部连通；以及/n晶舟（5），所述晶舟（5）内承载有多个晶圆，所述晶舟（5）设置在所述内槽（4）内；/n其中，含有氢氟酸的药液自所述内槽（4）开口加入，将所述晶舟（5）上的晶圆全部浸没，溢流而出的药液进入所述外槽（3）后通过第一管路再进入所述内槽（4），最后药液自所述第二管路排出。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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