[发明专利]肖特基二极管的制作方法以及肖特基二极管在审
| 申请号： | 201910886064.9 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN112531008A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 林威 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种肖特基二极管的制作方法以及肖特基二极管，所述制作方法包括：在P衬底上形成STI区域；在所述P衬底上用磷离子进行深N型注入形成DNW；在DNW中所述STI区域的一侧进行硼离子注入形成P‑层保护环，所述P‑层保护环由多个P‑掺杂区组成，P‑掺杂区之间相互隔开；在DNW中所述STI区域的另一侧进行磷离子注入形成N+层；在所述N+层和所述P‑层保护环上积淀金属层或合金层；在所述金属层或所述合金层上形成SiO |
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| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 制作方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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