[发明专利]一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正型QLED器件有效
| 申请号： | 201910891476.1 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110729405B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;蒋晓红;马玉婷;田雨 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 付艳丽 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件及其制备方法。本发明通过在V |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 氧化 空穴 注入 qled 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）清洗含有透明电极的玻璃基底；/n（2）在透明电极上旋涂空穴注入层，所述空穴注入层为Ti-V
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