[发明专利]一种半导体基板的表面防尘处理方法在审

专利信息
申请号: 201910893324.5 申请日: 2019-09-20
公开(公告)号: CN112542371A 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 宿志影 申请(专利权)人: 东莞新科技术研究开发有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L23/14;H01L23/60
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 523087 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种半导体基板的表面防尘处理方法,包括以下步骤:(1)使用有机溶剂预清洗半导体基板后风干;(2)在惰性气体氛围下采用离子束刻蚀清洗步骤(1)处理后的半导体基板;(3)在步骤(2)处理后的半导体基板上沉积硅层;(4)使用磁过滤真空阴极电弧法在步骤(3)处理后的半导体基板的硅层上沉积类金刚石膜,沉积过程中,在阳极施加偏压,偏压范围从负70V到负120V;(5)在步骤(4)处理后的半导体基板的类金刚石膜上气相沉积氟层。本发明方法改变了其上述半导体基板的表面承载状况,很好的改善了上述半导体基板表面的清洁度,同时很好的避免了半导体基板表面的清洁度不佳而导致的静电放电对于半导体的损害。
搜索关键词: 一种 半导体 表面 防尘 处理 方法
【主权项】:
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