[发明专利]太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统在审
| 申请号： | 201910894299.2 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110600584A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 左国军;成旭;柯国英;任金枝 | 申请（专利权）人： | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11343 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 尚志峰 |
| 地址： | 213133 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统，刻蚀设备包括：传输组件；氧化组件，包括臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽；传输组件用于将太阳能硅片传送至臭氧水反应槽，使太阳能硅片的表面形成氧化膜；水膜组件，设置在氧化组件后方，用于在氧化膜的上表面形成水膜；刻蚀组件，设置在水膜组件后方，用于对太阳能硅片的下表面进行蚀刻；传输组件的传送方向为从前向后。本发明所提供的刻蚀设备采用了湿法柔性的方式给太阳能硅片的表面生成一层氧化膜，相比于相关技术中的热氧化设备而言，氧化设备成本低，且无需高温反应降低了能耗，同时缩短了氧化制程，进而提高了太阳能硅片的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能硅片 传输组件 刻蚀设备 氧化膜 水膜组件 氧化组件 臭氧水 反应槽 蚀刻 臭氧发生装置 气液混合装置 表面形成 传送方向 高温反应 氧化设备 制备系统 热氧化 上表面 下表面 刻蚀 前向 湿法 水膜 制程 制备 能耗 传送 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能硅片的刻蚀设备，其特征在于，包括：/n传输组件，用于传送所述太阳能硅片；/n氧化组件，包括臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽；所述臭氧发生装置与所述气液混合装置相连接，所述气液混合装置与所述臭氧水反应槽相连接，所述传输组件用于将所述太阳能硅片传送至所述臭氧水反应槽，使所述太阳能硅片的表面形成氧化膜；/n水膜组件，设置在所述氧化组件后方，用于在所述氧化膜的上表面形成水膜；/n刻蚀组件，设置在所述水膜组件后方，用于对所述太阳能硅片的下表面进行蚀刻；/n其中，所述传输组件的传送方向为从前向后。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
