[发明专利]一种半导体设备在审
| 申请号： | 201910895152.5 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110643962A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/50;C23C14/54;C23C14/06 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材相对的位置上；其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。本发明提出的半导体设备能够提高镀膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 生长腔 靶材 体内 磁性单元 生长腔体 均匀性 镀膜 基板 磁场 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：/n生长腔体；/n基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；/n靶材，设置在所述生长腔体内；/n磁体，设置在所述靶材相对的位置上；/n其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。/n
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