[发明专利]一种碳化硅表面改性方法有效
| 申请号： | 201910896598.X | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110551979B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 白云立;王利;王刚;张继友;周于鸣;王永刚;孟晓辉;郭文;徐领娣;于建海 | 申请（专利权）人： | 北京空间机电研究所 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张晓飞 |
| 地址： | 100076 北京市丰*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种碳化硅表面改性方法，采用PVD(物理气相沉积)改性，先将基片清洗干净，检测改性前粗糙度，后放入整洁的镀膜机内，同时，在镀膜机相应位置放入膜料镍(Ni)、硅(Si)；提高镀膜机真空室内的真空度，达到改性标准后，先镀制膜料镍(Ni)、在镀制膜料硅(Si)，改性完成后检测粗糙度。相比较于传统PVD(物理气相沉积)改性方法，本方法可以直接降低基片表面粗糙度，省去改性后光学研抛过程，节省了光学研抛过程中耗费的人力、物力、财力，规避了相应的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 改性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅表面改性方法，其特征于步骤如下：/n1)选取膜料镍、硅，分别放置在镀膜机阻蒸舟和电子坩埚内；/n2)抽真空，当真空度达到高真空时开始加热；/n3)达到温度T时开始镀制镍；/n4)保持温度T，继续镀制硅；/n5)完成上述两种膜料镀制后，用离子源轰击。/n
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